ค้นหาแอนะล็อกของทรานซิสเตอร์ ทรานซิสเตอร์สนามมีลักษณะอย่างไร? ระดับความสำคัญของพารามิเตอร์ในการใช้งานต่างๆ

ในบทความนี้ฉันต้องการอธิบายเกณฑ์ที่คุณต้องใส่ใจเมื่อเลือก การเปลี่ยนทรานซิสเตอร์. ฉันหวังว่าบทความนี้จะเป็นประโยชน์สำหรับนักวิทยุสมัครเล่นมือใหม่ ฉันจะพยายามพูดให้สั้นที่สุดเท่าที่จะทำได้ แต่ก็เพียงพอที่จะทำให้ถูกต้อง การเลือกทรานซิสเตอร์ในเมื่อไม่มีสิ่งที่คล้ายกัน

ทรานซิสเตอร์สองขั้ว

ฉันเสนอการประเมินและการเลือกอะนาล็อกสำหรับ การเปลี่ยนทรานซิสเตอร์เริ่มด้วยการวิเคราะห์วงจร - ความถี่ แรงดันไฟ กระแส เรามาเริ่มการเลือกตามความเร็วของทรานซิสเตอร์กัน นั่นคือ ความถี่ในการทำงานของทรานซิสเตอร์ ในกรณีนี้ ขอบเขต fgr MHz (นี่คือค่าที่ได้รับเท่ากับเอกภาพ) ความถี่ของทรานซิสเตอร์ต้องมากกว่าความถี่จริงที่อุปกรณ์ทำงาน ควรทำหลายครั้ง หลังจากเลือกตามความถี่แล้ว เราจะเลือกด้วยกำลังที่อนุญาต กล่าวคือ กระแสสะสมของทรานซิสเตอร์ต้องเกิน กระแสสูงสุดในวงจรปฐมภูมิ ต่อไป เราเลือกทรานซิสเตอร์ตามแรงดันไฟฟ้าของตัวเก็บรวบรวมสัญญาณที่อนุญาต ซึ่งควรเกินแรงดันไฟฟ้าสูงสุดที่ใช้กับทรานซิสเตอร์เมื่อใดก็ได้ กำไร: เป็นที่ทราบกันดีอยู่แล้วว่าตัวสะสมปัจจุบัน y ทรานซิสเตอร์สองขั้วเชื่อมต่อกับกระแสฐานผ่านพารามิเตอร์ h21 พูดง่ายๆ ก็คือ กระแสของตัวสะสมมากกว่ากระแสฐานใน h21 จากนี้เราสามารถสรุปได้ว่าควรใช้ทรานซิสเตอร์ที่มีค่าของพารามิเตอร์นี้มากที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้ ซึ่งจะเพิ่มประสิทธิภาพโดยลดต้นทุนในการควบคุมทรานซิสเตอร์ และนอกจากนี้ ทรานซิสเตอร์ที่มีค่าพารามิเตอร์นี้มากจะเข้าสู่โหมดอิ่มตัวได้ง่ายขึ้น นอกจากนี้เพื่อที่จะสูญเสียพลังงานน้อยลงในทรานซิสเตอร์ (ในเวลาเดียวกันจะทำให้ความร้อนน้อยลง) จำเป็นต้องให้แรงดันอิ่มตัว (แรงดันสะสม - อิมิตเตอร์ในสถานะเปิด) ให้น้อยที่สุดเพราะกำลัง ที่ปล่อยออกมาบนทรานซิสเตอร์จะเท่ากับผลคูณของกระแสที่ไหลผ่านและแรงดันตกคร่อมมัน แต่ถึงกระนั้น กำลังสูงสุดในการกระจายตัวของตัวเก็บประจุ (ระบุในหนังสืออ้างอิง) จะต้องไม่น้อยกว่าการจัดสรรจริง มิฉะนั้น ทรานซิสเตอร์จะไม่ รับมือ (มันจะล้มเหลวทันที) ในบทความ “ทรานซิสเตอร์สำหรับการสลับแหล่งจ่ายไฟสำหรับทีวี การทดแทน "ฉันได้อธิบายเทคนิคแล้ว การเปลี่ยนทรานซิสเตอร์ .

ทรานซิสเตอร์ภาคสนาม

พวกเขามีข้อดีมากกว่าแบบไบโพลาร์และที่สำคัญที่สุดคือราคาที่ต่ำกว่า ข้อได้เปรียบที่สำคัญที่สุดของทรานซิสเตอร์แบบ field-effect ในความคิดของฉันมีดังต่อไปนี้:

1. มันไม่ได้ถูกควบคุมโดยกระแส แต่โดยแรงดัน ( สนามไฟฟ้า) สิ่งนี้ทำให้วงจรง่ายขึ้นอย่างมากและลดพลังงานที่ใช้ในการควบคุม
2. FET ไม่มีพาหะของชนกลุ่มน้อย จึงสามารถสลับได้ในอัตราที่เร็วกว่ามาก
3. ความต้านทานความร้อนเพิ่มขึ้น การเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิของทรานซิสเตอร์แบบ field-effect เมื่อแรงดันไฟฟ้าถูกนำไปใช้กับมันจะนำไปสู่การเพิ่มขึ้นของความต้านทานของทรานซิสเตอร์แบบเปิดและทำให้กระแสไฟลดลง

ความเสถียรทางความร้อนของ FET ช่วยผู้ออกแบบเมื่อเชื่อมต่ออุปกรณ์แบบขนานเพื่อเพิ่มความสามารถในการรับน้ำหนัก เป็นไปได้ที่จะเชื่อมต่อแบบขนานกับคนงานภาคสนามจำนวนมากเพียงพอโดยไม่ต้องปรับตัวต้านทานในวงจรไฟฟ้าและในเวลาเดียวกันก็ไม่ต้องกลัวความไม่ตรงกันในปัจจุบันซึ่งเป็นอันตรายต่อทรานซิสเตอร์สองขั้ว อย่างไรก็ตาม การเชื่อมต่อแบบขนานทรานซิสเตอร์สนามมีลักษณะเป็นของตัวเองเช่นกัน

ส่วนเรื่องการคัดเลือก ทรานซิสเตอร์ที่จะเปลี่ยนลำดับจะใกล้เคียงกัน กล่าวคือ ความเร็ว ตามด้วยกำลัง แรงดันไฟฟ้าที่จ่ายจากแหล่งจ่ายยังถูกเลือกจากการพิจารณาเช่นเดียวกับไบโพลาร์ กระแสการระบายน้ำสูงสุดยังถูกเลือกด้วยระยะขอบ ซึ่งง่ายกว่ามากที่จะเลือกที่นี่ เนื่องจากทรานซิสเตอร์แบบ field-effect มีกระแสการระบายที่ค่อนข้างใหญ่และความหลากหลาย มีขนาดใหญ่มากซึ่งไม่สามารถพูดได้เกี่ยวกับทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - ไบโพลาร์ที่มีกระแสสะสมมากกว่า 20 A ซึ่งเป็นของหายากอยู่แล้ว ทรานซิสเตอร์แบบ Field-effect ไม่มีแรงดันอิ่มตัว แต่มีพารามิเตอร์ที่คล้ายกัน - ความต้านทานช่องเปิดสำหรับทรานซิสเตอร์ที่มีแรงดันไฟฟ้าที่อนุญาตสูงถึง 150 V มันคือสิบมิลลิโอห์มสำหรับแรงดันไฟฟ้าที่สูงขึ้น - โอห์ม ยิ่งค่าความต้านทานนี้ต่ำ พารามิเตอร์ของทรานซิสเตอร์ก็จะยิ่งใกล้เคียงกับค่าที่เหมาะสมที่สุดและการสูญเสียก็จะยิ่งต่ำลง การสูญเสียพลังงาน (การกระจาย) ในสถานะเปิดถูกกำหนดให้เป็นกำลังสองของกระแสคูณด้วยความต้านทานของช่องสัญญาณเปิด ยิ่งค่านี้มีค่าน้อยเท่าไร ทรานซิสเตอร์ก็จะยิ่งร้อนน้อยลงเท่านั้น อะนาล็อกของพารามิเตอร์ h21 สำหรับทรานซิสเตอร์แบบ field-effect คือความชันของคุณลักษณะ พารามิเตอร์นี้เกี่ยวข้องกับกระแสระบายออกและแรงดันเกต กล่าวคือ กระแสระบายถูกกำหนดเป็นผลคูณของแรงดันเกตและความชันของลักษณะทรานซิสเตอร์ ตามกฎแล้วทรานซิสเตอร์หลักมีลักษณะลาดเอียงมาก ทรานซิสเตอร์ประเภทนี้ยังมีแรงดันไฟฟ้าที่เรียกว่าเกณฑ์ที่เกตซึ่งเป็นค่าต่ำสุดของแรงดันควบคุมที่เพียงพอที่จะแนะนำทรานซิสเตอร์ให้เข้าสู่โหมดเปิดอย่างสมบูรณ์ (ความอิ่มตัว) เมื่อทำการเลือกต้องคำนึงว่าแรงดันไฟฟ้าต่ำสุดที่เกตไม่ต่ำกว่าเกณฑ์ มิฉะนั้น พลังงานทั้งหมดจะถูกจัดสรรให้กับทรานซิสเตอร์และไม่ให้โหลดเพราะไม่ได้เปิดเต็มที่ ตามกฎแล้วทรานซิสเตอร์ไม่สามารถทนต่อโหมดการทำงานนี้ได้ - หลังจากเปิดเครื่องแล้วจะเกิดการหน่วงเวลาเล็กน้อย (หรือใหญ่) พารามิเตอร์กำลังการกระจายตัวของตัวเก็บประจุสำหรับทรานซิสเตอร์สองขั้วนั้นคล้ายกับฟิลด์หนึ่ง - พลังงานการกระจายของท่อระบายน้ำ พารามิเตอร์เหมือนกันทุกประการ

ใช้หนังสืออ้างอิงและอินเทอร์เน็ตมากขึ้น ตอนนี้มีข้อมูลเพียงพอเกี่ยวกับพารามิเตอร์ของทรานซิสเตอร์

มาจองกันได้เลยว่าเราจะพูดถึงการเลือกแอนะล็อกของ N-channel, "ระดับลอจิก", ทรานซิสเตอร์ field-effect ที่หาได้ ในห่วงโซ่อาหารบนเมนบอร์ดและการ์ดแสดงผล ในกรณีนี้ระดับลอจิกหมายความว่าเรากำลังพูดถึงอุปกรณ์ที่ถูกควบคุมเช่น สามารถเปิดทรานสิชั่น Drain to Source ได้อย่างเต็มที่ เมื่อมีการจ่ายแรงดันไฟที่ค่อนข้างเล็กซึ่งสูงถึง 5 โวลต์จากเกต

ทรานซิสเตอร์สนามมีลักษณะอย่างไร?

รูปที่ 1ตัวเรือน D²PAK หรือที่เรียกว่า TO-263-3 ส่วนใหญ่จะพบบนกระดานรุ่นเก่าและไม่ค่อยได้ใช้บนกระดานสมัยใหม่

รูปที่ 2 ประเภทเคส DPAK หรือที่เรียกว่า TO-252-3 ที่ใช้กันมากที่สุดคือ D²PAK ที่ลดขนาดลง โปรดทราบว่าเลย์เอาต์เป็นภาพสะท้อนเพื่อให้โทนเนอร์หรือด้านหมึกสัมผัสกับวานิชภาพโดยตรง มิฉะนั้น ความคมชัดของเค้าโครงจะเสื่อมลง มันเป็นหนึ่งในตัวรับส่งสัญญาณสองเมตรแรกที่มีตัวส่งสัญญาณที่ปรับได้ ดังนั้นการเรียกความถี่คริสตัลแบบธรรมดาก่อนหน้านี้จึงไม่จำเป็นอีกต่อไป ในอุปกรณ์นี้ ตัวรับสัญญาณถูกทรานซิสเตอร์อย่างสมบูรณ์ นี่คือแผนภาพบล็อกของตัวรับส่งสัญญาณนี้

รูปที่ 3 ประเภทที่อยู่อาศัย SO-8 พบได้บนเมนบอร์ดและการ์ดแสดงผลซึ่งมักพบในรุ่นหลัง สามารถซ่อนทรานซิสเตอร์แบบ field-effect ได้หนึ่งหรือสองตัว

รูปที่ 4 SuperSO-8 หรือที่รู้จักในชื่อ TDSON-8 มันแตกต่างจาก SO-8 ตรงที่ 4 พินเชื่อมต่อกับพื้นผิวทรานซิสเตอร์ซึ่งอำนวยความสะดวกในการควบคุมอุณหภูมิ โดยทั่วไปสำหรับผลิตภัณฑ์ Infineon เปลี่ยนได้อย่างง่ายดายด้วยอะนาล็อกในแพ็คเกจ SO-8 อุปกรณ์นี้เป็นทรานซิสเตอร์อย่างสมบูรณ์ ตัวรับส่งสัญญาณให้กำลังขับ 40 วัตต์ เขาเป็นเหมือนพี่ใหญ่ที่มีกลุ่ม 2m ทั้งหมด ทำงานได้ทั้งกับแบตเตอรี่รถยนต์และในโหมดพกพาด้วยเซลล์ทารก 9 เซลล์ สามารถใช้ได้เฉพาะกับ 12V และเป็น 14W น่าเสียดายที่ไม่มีภาพของตัวรับส่งสัญญาณทั้งสองนี้ อุปกรณ์เชิงพาณิชย์เครื่องแรกจากประเทศญี่ปุ่น อุปกรณ์นี้ถูกทรานซิสเตอร์อย่างเต็มที่และสร้างขึ้นในบล็อกจำนวนน้อยเท่านั้น หนึ่งดอลลาร์สอดคล้องกับเครื่องหมายเยอรมันสี่หรือห้า ด้วยเหตุนี้จึงมีการใช้อุปกรณ์หรืออุปกรณ์รุ่นเก่าของ Wehrmacht กองทัพอเมริกันซึ่งในขณะนั้นยังไม่ครบตามข้อกำหนดของผู้จัดรายการวิทยุ

รูปที่ 5 ไอแพก อีกชื่อหนึ่งคือ TO-251-3 อันที่จริงมันเป็นอะนาล็อกที่สมบูรณ์ของ DPAK แต่มีขาที่สองที่เต็มเปี่ยม Intel ชอบที่จะใช้ทรานซิสเตอร์ประเภทนี้กับบอร์ดจำนวนหนึ่ง

รูปที่ตัวเลือกแรก ทรานซิสเตอร์ N-channel หนึ่งตัว สำหรับการทำงานแบบอยู่กับที่ ยังมีแหล่งจ่ายไฟของทรานซิสเตอร์ทั้งหมดที่เข้าชุดกันในชุดที่มีความสูงสองเท่า เนื่องจากเอ็ดเป็นนักวิทยุสมัครเล่น เขาจึงเข้ามาใกล้การทำงานในสภาพแวดล้อมนั้น จอห์นสันยึดมั่นในการผลิตในสหรัฐอเมริกาอย่างยิ่ง อุปกรณ์ดังกล่าวยังสามารถใช้สำหรับคัดกรองภาพถ่ายวันหยุดพักผ่อนล่าสุดแบบส่วนตัวได้อีกด้วย เมื่อสิ้นสุดวันอันเหน็ดเหนื่อย โปรเจ็กเตอร์จำนวนมากจะย้ายไปยังห้องนั่งเล่นในท้องถิ่น หรือสร้างขึ้นเพื่อจุดประสงค์นั้นตั้งแต่ต้น และเปลี่ยนให้เป็นโฮมเธียเตอร์ที่สมบูรณ์แบบไม่มากก็น้อย

มะเดื่อ B ประการที่สอง ทรานซิสเตอร์ N-channel สองตัว

มะเดื่อC ตัวที่สาม N-channel บวก P-channel ทรานซิสเตอร์ในขวดเดียว

มะเดื่อD ประเภทที่อยู่อาศัย LFPAK หรือ SOT669 กรณีพิเศษของแพ็คเกจ SO-8 ที่มีทรานซิสเตอร์ N-channel หนึ่งตัว โดยที่ขาตั้งแต่ 5 ถึง 8 นิ้วจะถูกแทนที่ด้วยหน้าแปลนฮีทซิงค์ ปัจจุบันเห็นเฉพาะในการ์ดวิดีโอ คุณภาพของการฉายภาพยนตร์ขึ้นอยู่กับมากกว่าแค่โปรเจ็กเตอร์ นอกจากนี้ คุณภาพของภาพยนตร์และแหล่งที่มาของสัญญาณยังเป็นตัวกำหนดการสร้างไคลเจเนซิสอีกด้วย การสร้างแบรนด์ผ้าใบด้วยตัวเองต้องใช้เวลาและทักษะเพียงเล็กน้อย ปกป้องกระเป๋าเงิน และปรับให้เข้ากับสภาพพื้นที่ นอกจากนี้ คุณสามารถใช้หน้าจอที่ "ปรับปรุง" เพื่อเพิ่มความสว่างจากมุมมองที่คาดการณ์ไว้ โปรเจ็กเตอร์ไม่สามารถจัดเตรียมระบบเสียงแบบภาพยนตร์ได้ ลำโพงที่ติดตั้งในอุปกรณ์บางครั้งเงียบเกินไปและมักจะแย่ มันดังก้อง ตกลงมา และบิดเบี้ยว ระบบเสียง 1 เสียงที่ออกแบบมาอย่างดีสามารถช่วยคุณได้ โดยเฉพาะอย่างยิ่งเนื่องจากการใช้ชิปกระจกขนาดเล็กเป็นภาพ โปรเจ็กเตอร์จึงย่อขนาดให้เล็กลงจนสามารถพกพาได้อย่างแท้จริง

ตามกฎแล้ว แทนที่อุปกรณ์ในเคส D²PAK อุปกรณ์ที่คล้ายกัน แต่ในเคส DPAK สามารถติดตั้งได้โดยไม่มีปัญหาใดๆ

ด้วยความคล่องแคล่ว เป็นไปได้ที่จะ "กระจาย" D²PAK บนเบาะนั่งภายใต้ DPAK แม้ว่าจะดูไม่สวยงาม

LFPAK จะเปลี่ยนแปลงโดยไม่มีปัญหากับ SO-8 ด้วยทรานซิสเตอร์ N-channel หนึ่งตัว และในทางกลับกัน

ในกรณีอื่นๆ จำเป็นต้องเลือกอุปกรณ์ในกรณีที่คล้ายกันโดยสิ้นเชิง

สามารถใช้ทรานซิสเตอร์สนามผลได้ที่ไหน

ข้างต้น เราตกลงกันว่าเรากำลังพิจารณาเฉพาะระบบย่อยกำลัง ดังนั้นจึงมีตัวเลือกน้อย:

• ตัวแปลงแรงดันพัลส์
• โคลงแรงดันไฟฟ้าเชิงเส้น
• คีย์ในวงจรสวิตชิ่งแรงดันไฟ

ระบบการทำเครื่องหมาย FET

อย่างไรก็ตาม สิ่งแปลกปลอมในภาพเคลื่อนไหวไม่ได้เกิดจากการเปลี่ยนความเร็วของโปรเจ็กเตอร์ช้าเกินไป อย่างไรก็ตาม โปรเจ็กเตอร์ส่วนใหญ่ทำงานภายในด้วยอัตราการรีเฟรชคงที่ แม้ว่าโปรเจ็กเตอร์อาจซิงโครไนซ์กับอัตราที่แตกต่างกันเมื่อป้อนข้อมูล ยิ่งอัตราการรีเฟรชของการ์ดแสดงผลและความถี่ภายในของโปรเจ็กเตอร์ห่างกันมากเท่าใด บ่อยครั้งในโหมดวิดีโอคอนทราสต์ที่รวดเร็ว ความผิดปกติของภาพก็จะเปลี่ยนไป

ดังนั้นหลอดไฟจะต้องเย็นลงอย่างต่อเนื่องโดยพัดลมหนึ่งหรือสองตัวภายใต้ฮูดของโปรเจ็กเตอร์ น่าเสียดายที่การหมุนพัดลมที่จำเป็นไม่เพียงแต่ให้ "อากาศบริสุทธิ์" แต่ยังส่งเสียงดังอีกด้วย ดังนั้นจึงเป็นเรื่องที่น่าแปลกใจมากขึ้นที่ผู้ผลิตนอกเหนือไปจากความเป็นจริงทั้งหมดสัญญาว่า "งานหนัก" ฉนวนกันเสียงที่น่าตื่นเต้น

ลองพิจารณาด้วยตัวอย่าง สมมุติว่าเรามี 20N03 ซึ่งหมายความว่าได้รับการจัดอันดับสำหรับแรงดันไฟฟ้า (Vds) ~30V และกระแส (Id) ~20A ตัวอักษร N หมายความว่านี่คือทรานซิสเตอร์ N-channel แต่มีข้อยกเว้นสำหรับกฎใด ๆ ตัวอย่างเช่น Infineon ระบุ Rds ในการทำเครื่องหมายของผู้ปฏิบัติงานภาคสนามและไม่ใช่กระแสสูงสุด

IPP 15 นู๋ 03 Vds=30V ถนน=12.6mΩรหัส=42A TO220
IPB 15 นู๋ 03 L - Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V ถนน=12.6mΩรหัส=42A TO263(D²PAK)
SPI 80 นู๋ 03 S2L-05 - Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30Vถนน=5.2mΩ รหัส=80A TO262
NTD 40 นู๋ 03 R - กึ่งกำลัง MOSFET 45 แอมป์, 25 โวลต์ Rds=12.6mΩ
โรคติดต่อทางเพศสัมพันธ์ 10 PF 06 - ST StripFET™ II เพาเวอร์ P-channel MOSFET 60V 0.18Ω 10A IPAK/DPAK

ดังนั้น ในกรณีของการทำเครื่องหมาย XXYZZ เราสามารถระบุได้ว่า XX เป็น Rds หรือ Id Y เป็นประเภทช่อง ZZ - Vds

ลักษณะสำคัญของทรานซิสเตอร์ N-channel field-effect

โดยทั่วไป ทรานซิสเตอร์แบบ field-effect มีพารามิเตอร์ต่างๆ มากมายที่สำคัญและไม่สำคัญมากนัก เราจะเข้าหาปัญหาจากมุมมองที่ประยุกต์ใช้และจำกัดตัวเองให้พิจารณาพารามิเตอร์ที่เราต้องการในทางปฏิบัติ

• Vds - แรงดันเดรนไปยังแหล่งจ่าย - แรงดันแหล่งจ่ายสูงสุด
• Vgs - Gate to Source Voltage - แรงดันเกตแหล่งสูงสุด
• Id - กระแสไฟระบาย - กระแสไฟระบายสูงสุด
• Vgs(th) - Gate to Source Threshold Voltage - แรงดันเกทแหล่งต้นทางที่จุดเชื่อมต่อแหล่งระบายเริ่มเปิด
• Rds(on) - Drain to Source On Resistance - ความต้านทานของการเปลี่ยนสถานะการระบายน้ำในสถานะเปิด
• Q(tot) - ค่าบริการประตูรวม - ค่าบริการประตูรวม

ฉันต้องการดึงความสนใจของคุณไปที่ข้อเท็จจริงที่ว่าพารามิเตอร์ Rds (on) สามารถระบุได้ที่แรงดันไฟฟ้าเกทซอร์สที่ต่างกัน ตามกฎคือ 10 และ 4.5 ​​โวลต์ นี่เป็นคุณสมบัติสำคัญที่ต้องนำมาพิจารณา

ระดับความสำคัญของพารามิเตอร์ในการใช้งานต่างๆ

• Vds, Vgs - พารามิเตอร์ถูกนำมาพิจารณาเสมอเพราะ หากเกินทรานซิสเตอร์ล้มเหลว มันควรจะเป็น มากกว่าหรือเท่ากับพารามิเตอร์เดียวกับอุปกรณ์ที่เปลี่ยน ในกรณีที่ทำงานในตัวแปลงพัลส์ คุณไม่ควรใช้อุปกรณ์ที่มีแรงดันไฟฟ้าทำงานเกิน 2-2.5 เท่าเพราะ อุปกรณ์ที่มีแรงดันไฟฟ้าสูงมักจะมีลักษณะความเร็วที่แย่กว่า

• รหัสเป็นพารามิเตอร์ที่สำคัญเฉพาะในตัวแปลงพัลส์เพราะ ในกรณีอื่น ๆ กระแสไม่ค่อยเกิน 10% ของมูลค่าเล็กน้อยแม้ในอุปกรณ์ที่ไม่ทรงพลังมาก มันควรจะเป็น มากกว่าหรือเท่ากับไปยังพารามิเตอร์เดียวกันของอุปกรณ์ที่จะถูกแทนที่ในกรณีของ ตัวแปลงพัลส์และจะเป็น ไม่น้อยอย่างอื่น 10 แอมป์

• Vgs(th) - มีค่าบางอย่างเมื่อทำงานในลิเนียร์โคลงเพราะ เฉพาะที่นั่นเท่านั้นที่ทรานซิสเตอร์ทำงานในโหมดแอ็คทีฟไม่ใช่คีย์ แม้ว่าจะไม่มีทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์ภาคสนามระดับลอจิกที่อาจไม่เหมาะกับพารามิเตอร์นี้ก็ตาม พารามิเตอร์นี้มีความสำคัญสำหรับตัวควบคุมเชิงเส้นตรง โดยที่ TL431 ที่ขับเคลื่อนโดย +5V ถูกใช้เป็นองค์ประกอบควบคุม (เช่น วงจรดังกล่าวมักใช้ในตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าเชิงเส้นบนการ์ดวิดีโอ)

• Rds (on) - ความร้อนของทรานซิสเตอร์ที่ทำงานในโหมดคีย์ขึ้นอยู่กับพารามิเตอร์นี้โดยตรงเมื่อกระแสไหลผ่านช่องสัญญาณเปิด ในกรณีนี้ น้อยย่อมดีกว่า. ความสนใจอย่าลืมว่าการป้องกันกระแสเกินและการลัดวงจรของ PWM ซีรีส์ HIP63 ** และบางรุ่นใช้ Rds (on) ของปุ่มล่าง (จากตัวเหนี่ยวนำสู่พื้น) เป็นเซ็นเซอร์ปัจจุบัน - การเปลี่ยนแปลงที่อ่านได้จะ เปลี่ยนกระแสไฟป้องกันและการป้องกันกระแสไฟอย่างใดอย่างหนึ่ง - จะทำงานเร็วกว่าความจำเป็น - ผลของการดึงพลังงานที่ยอดโหลด - หรือกระแสไฟลัดวงจรมีขนาดใหญ่มากจนจะฆ่ากุญแจก่อนที่แม่จะปิดแหล่งจ่ายไฟโดย การลบ PW-ON นั้น พูดอย่างเคร่งครัด คุณต้องเปลี่ยน Risen ที่ shim ด้วย (แต่ปกติไม่มีใครทำสิ่งนี้!)

• Q(tot) - ส่งผลต่อเวลาในการชาร์จเกท และสามารถชะลอการเปิดและปิดทรานซิสเตอร์ได้ อีกแล้ว น้อยย่อมดีกว่า.

เอกสารจาก Fairchild Selection ของ MOSFET ในโหมดสวิตช์ DC-DC Converters - คำแนะนำสำหรับการเลือก (และด้วยเหตุนี้การเปลี่ยน) MOSFET

• 284496 จำนวนการดู